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美浦森获得一种别离栅MOSFET的沟槽深度的监测设备及办法专利

发布时间：2025-03-28 21:06:44 来源：小九直播nba免费观看

　　金融界2024年12月31日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳市美浦森半导体有限公司获得一项名为“一种别离栅MOSFET的沟槽深度的监测设备及办法”的专利，授权公告号CN 118737874 B，请求日期为2024年8月。

　　天眼查资料显现，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，坐落深圳市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱2472.9613万人民币，实缴本钱1627.704766万人民币。经过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目2次，知识产权方面有商标信息11条，专利信息63条，此外企业还具有行政许可19个。

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